MOSFET场效应管

特点

  • 漏源电压(Vdss):20V

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):±1A(Tj=150°C)

  • 栅源极阈值电压:1.1V @ 1mA

  • 漏源导通电阻:250mΩ @ 650 mA,4.5V

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):140mW

应用

  • 手机,便携设备;数码相机;电力供应

SBD肖特基二极管

特点

  • 功耗低,效率高

  • 正向压降小

  • 浪涌能力强

  • 高温焊接

应用

  • 手机,便携设备;数码相机;电力供应

TVS瞬态电压抑制二极管

特点

  • 电压范围:5.0-440V

  • 电流:600Wa

  • 小型 贴片 玻璃封装

  • 低电感

应用

  • 手机,便携设备;数码相机;电力供应

ESD静电保护器

特点

  • 300W峰值脉冲功率(tP = 8/20μs)

  • DFN1006-2L 可以更换MLV(0402)封装

  • 双向配置 响应时间通常为

  • 支持低电压

  • 数据线路瞬态保护

  • IEC61000-4-2(ESD) ±30KV(air), ±30KV(contact);

  • IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)

  • IEC61000-4-5 (Surge) 25A (8/20us)

应用

  • 手机,便携设备;数码相机;电力供应